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CY7C1315CV18-250BZI备选型号: IS61QDB21M18A-250M3L

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  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 组织结构
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1315CV18-250BZI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    830mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2003
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    1
    1mm
    not_compliant
    CY7C1315
    不合格
    18Mb 512K x 36
    2
    250MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    17b
    18 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    36b
    1.7V
    1.9V
    1.7V
    15mm
    1.4mm
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB21M18A-250M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    -
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    950mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    1
    1mm
    -
    -
    不合格
    18Mb 1M x 18
    2
    250MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    18
    19b
    18 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.7V
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.4mm
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    YES
    e1
    yes
    锡银铜
    260
    10
    1MX18
  • 添加型号
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