CY7C131E-55JXCT备选型号: 7130SA55JI
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- 底架
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 工作电源电压
- 电源
- 内存大小
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- 内存格式
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- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 引脚数量
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 访问时间
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- SRAM 8Kb (1Kb x 8) 55ns Dual-Port SRAM表面贴装表面贴装52-LCC (J-Lead)52Volatile0°C~70°C TATape & Reel (TR)2011e3Obsolete3 (168 Hours)52Matte Tin (Sn)4.5V~5.5VQUAD15V5V5V8Kb 1K x 82160mASRAMParallel1KX83-STATE855ns20b8 kb0.015A55 nsCOMMONAsynchronous8b5.08mm无ROHS3 Compliant无铅----------------
- SRAM CHIP ASYNC DUAL 5V 8K-BIT 1K X 8 55NS 52-PIN PLCC表面贴装-PLCC52RAM, SDR, SRAM--2005e0活跃3 (168 Hours)52Tin/Lead (Sn85Pb15)-QUAD15V5V5V1kB2190mA--1KX83-STATE--20b8 kb0.03A-COMMONAsynchronous8b4.57mm无符合RoHS标准含铅7 WeeksnoEAR9985°C-40°CJ BEND22552INDUSTRIALParallel5.5V4.5V55 ns19mm19mm3.63mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 7130SA100J8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PLCC | SRAM Chip Async Dual 5V 8K-Bit 1K x 8 100ns 52-Pin PLCC T/R | 对比 |
![]() | CY7C131-55JXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 52-LCC (J-Lead) | SRAM Chip Async Dual 5V 8K-Bit 1K x 8 55ns 52-Pin PLCC Tube | 对比 |
![]() | 7130SA55JI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PLCC | SRAM CHIP ASYNC DUAL 5V 8K-BIT 1K X 8 55NS 52-PIN PLCC | 对比 |





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