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首页 全部分类 CY7C1320CV18-200BZC vs IS61QDB21M18A-250M3L

CY7C1320CV18-200BZC备选型号: IS61QDB21M18A-250M3L

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  • 安装类型
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 内存大小
  • 端口的数量
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  • 访问时间
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  • 输出特性
  • 内存宽度
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  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 无铅代码
  • 端子间距
  • 组织结构
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1320CV18-200BZC
    Cypress Semiconductor Corp
    SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    635mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    2011
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    220
    1
    not_compliant
    未说明
    CY7C1320
    不合格
    18Mb 512K x 36
    1
    200MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    19b
    18 Mb
    0.3A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB21M18A-250M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    -
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    950mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    锡银铜
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    -
    10
    -
    不合格
    18Mb 1M x 18
    2
    250MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    18
    19b
    18 Mb
    -
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    YES
    yes
    1mm
    1MX18
    1.7V
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.4mm
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