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首页 全部分类 CY7C1354CV25-200AXC vs IS61VPS25636A-200TQLI

CY7C1354CV25-200AXC备选型号: IS61VPS25636A-200TQLI

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子位置
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  • 功能数量
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  • 引脚数量
  • 工作电源电压
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  • 密度
  • 同步/异步
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 座位高度(最大)
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1354CV25-200AXC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    657.000198mg
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    NoBL™
    2004
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    100
    3A991.B.2.A
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    流水线结构
    2.375V~2.625V
    QUAD
    260
    1
    2.5V
    0.65mm
    20
    CY7C1354
    100
    2.5V
    2.625V
    2.375V
    9Mb 256K x 36
    4
    220mA
    220mA
    200MHz
    3.2ns
    SRAM
    Parallel
    256KX36
    18b
    9 Mb
    Synchronous
    36b
    1.4mm
    20mm
    14mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61VPS25636A-200TQLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    100
    3A991.B.2.A
    Matte Tin (Sn) - annealed
    流水线结构
    2.375V~2.625V
    QUAD
    260
    1
    2.5V
    0.65mm
    40
    -
    100
    2.5V
    2.625V
    2.375V
    9Mb 256K x 36
    4
    275mA
    -
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    256KX36
    18b
    9 Mb
    Synchronous
    36b
    -
    20mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    3-STATE
    36
    0.105A
    COMMON
    2.38V
    1.6mm
  • 添加型号
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