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首页 全部分类 CY7C1356CV25-166AXC vs IS61VPS25636A-200TQLI

CY7C1356CV25-166AXC备选型号: IS61VPS25636A-200TQLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • ECCN 代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 组织结构
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1356CV25-166AXC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    NoBL™
    2004
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    100
    Matte Tin (Sn)
    流水线结构
    2.375V~2.625V
    QUAD
    260
    1
    2.5V
    0.65mm
    20
    CY7C1356
    100
    2.5V
    9Mb 512K x 18
    2
    180mA
    166MHz
    3.5ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    18
    19b
    9 Mb
    0.04A
    COMMON
    Synchronous
    18b
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61VPS25636A-200TQLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    100
    Matte Tin (Sn) - annealed
    流水线结构
    2.375V~2.625V
    QUAD
    260
    1
    2.5V
    0.65mm
    40
    -
    100
    2.5V
    9Mb 256K x 36
    4
    275mA
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    18b
    9 Mb
    0.105A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    3A991.B.2.A
    2.625V
    2.375V
    256KX36
    2.38V
    20mm
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