CY7C1360S-200BGCT备选型号: 71V25761S200BG
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- 零件状态
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- 电压 - 供电
- 基本部件号
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 温度等级
- 界面
- 端口的数量
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- 无铅
- IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA6 Weeks表面贴装119-BGAVolatile0°C~70°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)3.135V~3.6VCY7C13609Mb 256K x 36200MHz3nsSRAMParallelNon-RoHS Compliant-----------------------------------
- SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM7 Weeks-BGA200MHz---3 (168 Hours)3.3V-512kB-3.1 ns--符合RoHS标准表面贴装119360mA2009e0no119Tin/Lead (Sn63Pb37)70°C0°C流水线结构BOTTOMBALL2251200MHz20不合格COMMERCIALParallel13-STATE17b4.5 Mb0.03ACOMMONSynchronous36b3.465V3.135V14mm2.36mm22mm2.15mm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1360C-200BGC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA | 对比 |
![]() | 71V25761S200BG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |




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