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首页 全部分类 CY7C1371D-100AXC vs CY7C1373D-100AXC

CY7C1371D-100AXC备选型号: CY7C1373D-100AXC

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  • 包装/外壳
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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
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  • 内存大小
  • 端口的数量
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  • 最大电源电流
  • 时钟频率
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  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 待机电压-最小值
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1371D-100AXC
    Cypress Semiconductor Corp
    SRAM, 18MBIT, PARALLEL, 8.5NS, 100TQFP
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    657.000198mg
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    NoBL™
    2004
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    100
    3A991.B.2.A
    Matte Tin (Sn)
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    3.135V~3.6V
    QUAD
    260
    1
    3.3V
    0.65mm
    20
    CY7C1371
    100
    3.3V
    3.6V
    3.135V
    18Mb 512K x 36
    4
    175mA
    175mA
    100MHz
    8.5ns
    SRAM
    Parallel
    512KX36
    3-STATE
    36
    19b
    18 Mb
    0.07A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    20mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1373D-100AXC
    Cypress Semiconductor Corp
    SRAM 18Mb 100Mhz 1M x 18 Flow-Thru SRAM
    -
    表面贴装
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    -
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    NoBL™
    2004
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    100
    -
    Matte Tin (Sn)
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    3.135V~3.6V
    QUAD
    260
    1
    3.3V
    0.65mm
    20
    CY7C1373
    100
    3.3V
    3.6V
    3.135V
    18Mb 1M x 18
    2
    175mA
    -
    100MHz
    8.5ns
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    20b
    18 Mb
    0.07A
    COMMON
    Synchronous
    18b
    -
    1.6mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.14V
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