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首页 全部分类 CY7C1380DV33-200AXI vs IS61LPS51236A-200TQLI

CY7C1380DV33-200AXI备选型号: IS61LPS51236A-200TQLI

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  • 安装类型
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 最大电源电流
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1380DV33-200AXI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
    表面贴装
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2004
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    3A991.B.2.B
    3.135V~3.6V
    CY7C1380
    3.3V
    18Mb 512K x 36
    4
    300mA
    200MHz
    3ns
    SRAM
    Parallel
    19b
    18 Mb
    Synchronous
    36b
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61LPS51236A-200TQLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
    -
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    3A991.B.2.A
    3.135V~3.465V
    -
    3.3V
    18Mb 512K x 36
    4
    475mA
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    19b
    18 Mb
    Synchronous
    36b
    无
    符合RoHS标准
    -
    YES
    657.000198mg
    e3
    yes
    100
    Matte Tin (Sn) - annealed
    流水线结构
    QUAD
    1
    3.3V
    0.65mm
    100
    3.135V
    475mA
    512KX36
    3-STATE
    36
    0.125A
    COMMON
    20mm
    1.6mm
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