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首页 全部分类 CY7C1380F-167BGC vs 71T75602S133BGI

CY7C1380F-167BGC备选型号: 71T75602S133BGI

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  • 最高工作温度
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  • 终端形式
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  • 频率
  • 温度等级
  • 界面
  • 待机电压-最小值
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1380F-167BGC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
    表面贴装
    表面贴装
    119-BGA
    119
    Volatile
    275mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    2004
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    119
    3A991.B.2.A
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    流水线结构
    3.3V
    BOTTOM
    1
    1.27mm
    not_compliant
    CY7C1380
    不合格
    18Mb 512K x 36
    4
    167MHz
    3.4ns
    SRAM
    Parallel
    512KX36
    3-STATE
    36
    19b
    18 Mb
    0.07A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    3.6V
    3.135V
    22mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71T75602S133BGI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 4.2ns 119-Pin BGA Tube/Tray
    表面贴装
    -
    BGA
    119
    133MHz
    215mA
    -
    -
    2012
    e0
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    -
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    流水线结构
    2.5V
    BOTTOM
    1
    -
    -
    -
    -
    2.3MB
    1
    -
    4.2 ns
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    19b
    18 Mb
    0.06A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    2.625V
    2.375V
    14mm
    符合RoHS标准
    含铅
    8 Weeks
    no
    85°C
    -40°C
    BALL
    225
    133MHz
    INDUSTRIAL
    Parallel
    2.38V
    2.36mm
    22mm
    2.15mm
    无
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