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首页 全部分类 CY7C1380F-167BGC vs 71T75602S150BGI

CY7C1380F-167BGC备选型号: 71T75602S150BGI

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 工作电源电压
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  • 时钟频率
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  • 内存格式
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  • 密度
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  • I/O类型
  • 同步/异步
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 最大电源电流
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1380F-167BGC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
    表面贴装
    表面贴装
    119-BGA
    119
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2004
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    119
    3A991.B.2.A
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    流水线结构
    3.135V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    1.27mm
    not_compliant
    CY7C1380
    119
    不合格
    3.3V
    3.6V
    3.135V
    18Mb 512K x 36
    4
    275mA
    167MHz
    3.4ns
    SRAM
    Parallel
    512KX36
    3-STATE
    36
    19b
    18 Mb
    0.07A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    22mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71T75602S150BGI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3.8ns 119-Pin BGA Tube/Tray
    表面贴装
    -
    BGA
    119
    150MHz
    -
    -
    2012
    e0
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    -
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    流水线结构
    -
    BOTTOM
    1
    2.5V
    -
    -
    -
    119
    -
    2.5V
    -
    -
    2.3MB
    1
    235mA
    -
    3.8 ns
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    19b
    18 Mb
    0.06A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    14mm
    符合RoHS标准
    含铅
    8 Weeks
    no
    85°C
    -40°C
    BALL
    225
    150MHz
    INDUSTRIAL
    Parallel
    2.625V
    2.375V
    235mA
    2.38V
    2.15mm
    22mm
    2.15mm
    无
  • 添加型号
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