CY7C1423AV18-267BZC备选型号: CY7C1320CV18-267BZXC

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  • 内存宽度
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  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端口的数量
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 同步/异步
  • 字长
  • 无铅
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 36MBIT 267MHZ 165FBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    流水线结构
    8542.32.00.41
    1.8V
    BOTTOM
    1
    1mm
    not_compliant
    CY7C1423
    不合格
    1.5/1.81.8V
    36Mb 2M x 18
    267MHz
    SRAM
    Parallel
    2MX18
    3-STATE
    18
    37748736 bit
    0.45 ns
    SEPARATE
    1.7V
    1.9V
    1.7V
    17mm
    1.4mm
    15mm
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18MBIT 267MHZ 165FBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    -
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    -
    流水线结构
    -
    1.8V
    BOTTOM
    1
    -
    unknown
    CY7C1320
    不合格
    -
    18Mb 512K x 36
    267MHz
    SRAM
    Parallel
    -
    3-STATE
    36
    -
    -
    COMMON
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    855mA
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1
    450 ps
    19b
    18 Mb
    0.33A
    Synchronous
    36b
    无铅
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