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首页 全部分类 CY7C1425BV18-200BZC vs IS61DDB22M18A-250M3L

CY7C1425BV18-200BZC备选型号: IS61DDB22M18A-250M3L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 内存大小
  • 时钟频率
  • 电源电流-最大值
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Current - Supply (Nom)
  • 无铅代码
  • 端口的数量
  • 地址总线宽度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1425BV18-200BZC
    Cypress Semiconductor Corp
    SRAM 4Mx9 QDR II Burst 2 SRAM
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    锡铅
    流水线结构
    8542.32.00.41
    1.8V
    BOTTOM
    220
    1
    1mm
    not_compliant
    未说明
    CY7C1425
    不合格
    36Mb 4M x 9
    200MHz
    0.7mA
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    4MX9
    3-STATE
    9
    36 Mb
    0.35A
    SEPARATE
    1.7V
    1.9V
    1.7V
    17mm
    1.4mm
    15mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61DDB22M18A-250M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 36Mb 250Mhz 2Mx18 DDR-II Sync SRAM
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    e1
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    165
    -
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    -
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    -
    -
    40
    -
    -
    36Mb 2M x 18
    250MHz
    -
    8.4ns
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    18
    36 Mb
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    500mA
    yes
    1
    21b
    Synchronous
    18b
    无
  • 添加型号
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