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首页 全部分类 CY7C1447AV25-133BGI vs IS61QDB41M36-250M3L

CY7C1447AV25-133BGI备选型号: IS61QDB41M36-250M3L

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 电源电流-最大值
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  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
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  • 内存宽度
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  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 底架
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 同步/异步
  • 字长
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1447AV25-133BGI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 36MBIT 133MHZ 209FBGA
    表面贴装
    209-BGA
    YES
    209
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2004
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    209
    3A991.B.2.A
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    2.5V
    BOTTOM
    1
    1mm
    CY7C1447
    36Mb 512K x 72
    8
    133MHz
    0.27mA
    6.5ns
    SRAM
    Parallel
    512KX72
    3-STATE
    72
    19b
    36 Mb
    0.12A
    COMMON
    1.71V
    2.625V
    2.375V
    22mm
    1.96mm
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB41M36-250M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    -
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    e1
    yes
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    165
    -
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    1
    1mm
    -
    36Mb 1M x 36
    2
    250MHz
    -
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    1MX36
    3-STATE
    36
    19b
    36 Mb
    -
    SEPARATE
    1.7V
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    10
    Synchronous
    36b
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