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首页 全部分类 CY7C1460AV25-200BZI vs IS61QDB22M18-250M3

CY7C1460AV25-200BZI备选型号: IS61QDB22M18-250M3

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
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  • 功能数量
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  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 座位高度(最大)
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1460AV25-200BZI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA
    165-LBGA
    表面贴装
    表面贴装
    165
    385mA
    Volatile
    2004
    NoBL™
    Tray
    -40°C~85°C TA
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    2.375V~2.625V
    BOTTOM
    220
    1
    1mm
    CY7C1460
    36Mb 1M x 36
    4
    200MHz
    3.2ns
    SRAM
    Parallel
    1MX36
    3-STATE
    36
    20b
    36 Mb
    0.12A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    2.38V
    2.625V
    2.375V
    17mm
    Non-RoHS Compliant
    无
    含铅
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB22M18-250M3
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
    165-LBGA
    表面贴装
    表面贴装
    165
    700mA
    Volatile
    -
    -
    Tray
    0°C~70°C TA
    e0
    no
    Discontinued
    2 (1 Year)
    165
    -
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    -
    1
    1mm
    -
    36Mb 2M x 18
    2
    250MHz
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    -
    3-STATE
    18
    20b
    36 Mb
    -
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.71V
    1.89V
    1.71V
    17mm
    Non-RoHS Compliant
    无
    -
    1.7mm
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