CY7C1460AV33-167BZC备选型号: IS61QDB22M18-250M3
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 基本部件号
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 待机电压-最小值
- 座位高度(最大)
- IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA表面贴装表面贴装165-LBGA165375mAVolatile0°C~70°C TATrayNoBL™2006e0noObsolete3 (168 Hours)1653A991.B.2.ATin/Lead (Sn/Pb)流水线结构3.3VBOTTOM22011mmCY7C146036Mb 1M x 364167MHz3.4nsSRAMParallel1MX363-STATE3620b36 Mb0.12ACOMMONSynchronous36b3.6V3.135V17mm无Non-RoHS Compliant含铅--
- IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA表面贴装表面贴装165-LBGA165700mAVolatile0°C~70°C TATray--e0noDiscontinued2 (1 Year)165-Tin/Lead (Sn/Pb)流水线结构1.8VBOTTOM-11mm-36Mb 2M x 182250MHz7.5nsSRAMParallel-3-STATE1820b36 Mb-SEPARATESynchronous18b1.89V1.71V17mm无Non-RoHS Compliant-1.71V1.7mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1440AV25-167BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165FBGA | 对比 | |
| CY7C1460BV25-250BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA | 对比 | |
| IS61QDB22M18-250M3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA | 对比 |


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