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首页 全部分类 CY7C1470BV25-200BZC vs IS61QDB22M18-250M3

CY7C1470BV25-200BZC备选型号: IS61QDB22M18-250M3

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  • 包装/外壳
  • 表面安装
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  • 内存大小
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  • 访问时间
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  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端口的数量
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1470BV25-200BZC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    NoBL™
    2004
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    流水线结构
    8542.32.00.41
    2.5V
    BOTTOM
    1
    1mm
    not_compliant
    CY7C1470
    不合格
    2.5V
    72Mb 2M x 36
    200MHz
    0.45mA
    3ns
    SRAM
    Parallel
    2MX36
    3-STATE
    36
    75497472 bit
    COMMON
    2.38V
    2.625V
    2.375V
    17mm
    1.4mm
    15mm
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB22M18-250M3
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    -
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    -
    Discontinued
    2 (1 Year)
    165
    -
    流水线结构
    -
    1.8V
    BOTTOM
    1
    1mm
    -
    -
    -
    -
    36Mb 2M x 18
    250MHz
    -
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    -
    3-STATE
    18
    -
    SEPARATE
    1.71V
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.7mm
    -
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    700mA
    e0
    no
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    2
    20b
    36 Mb
    Synchronous
    18b
    无
  • 添加型号
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