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首页 全部分类 CY7C1625KV18-250BZXC vs CY7C1612KV18-250BZXC

CY7C1625KV18-250BZXC备选型号: CY7C1612KV18-250BZXC

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1625KV18-250BZXC
    Cypress Semiconductor Corp
    SRAM 144MB (16Mx9) QDR II 1.8V, 250MHz
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    1mm
    40
    CY7C1625
    165
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    144Mb 16M x 9
    2
    780mA
    250MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    16MX9
    3-STATE
    9
    23b
    144 Mb
    0.37A
    SEPARATE
    Synchronous
    9b
    1.7V
    17mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1612KV18-250BZXC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 144MBIT 250MHZ 165FBGA
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    1mm
    40
    CY7C1612
    165
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    144Mb 8M x 18
    2
    800mA
    250MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    8MX18
    3-STATE
    18
    22b
    144 Mb
    0.37A
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.7V
    17mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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