CY7C4285V-10ASXC备选型号: SN74V245-10PAG
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
- 端子间距
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 功能
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 电路数量
- 内存大小
- 元素配置
- 电源电流
- 最大电源电流
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 方向
- 内存宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 并行/串行
- 字长
- 内存IC类型
- 总线定向
- FWFT支持
- 可编程标志支持
- 输出启用
- 扩展类型
- 周期
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- 组织结构
- 输出特性
- 重传能力
- 高度
- 宽度
- 器件厚度
- IC DEEP SYN FIFO 64KX18 64LQFP8 WeeksGold, Tin表面贴装表面贴装64-LQFP640°C~70°CTrayCY7C1996e3Obsolete3 (168 Hours)64EAR99Matte Tin (Sn)RETRANSMIT3V~3.6VQUAD鸥翼2603.3V0.5mm100MHz207C4285Synchronous3.3V3.6V3V21.125M 64K x 18Dual30mA30mA8ns18b单向181.1 Mb0.004APARALLEL18b其他先进先出Uni-Directional无有YESDepth, Width10 ns10mm1.6mmROHS3 Compliant无铅---------
- IC SYNC FIFO MEM 4096X18 64-TQFP6 Weeks-表面贴装表面贴装64-TQFP640°C~70°CTray74V-e4活跃3 (168 Hours)64EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-3V~3.6VQUAD鸥翼2603.3V0.5mm100MHz-74V245Synchronous3.3V3.6V3V272K 4K x 18Dual35mA35mA6.5ns18b单向-72 kb-PARALLEL18b其他先进先出Uni-Directional-有YESDepth, Width10 ns10mm-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)274.706879mgyes4KX183-STATE无1.2mm10mm1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SN74V245-10PAG | Texas Instruments | 逻辑 - FIFO 存储器 | 64-TQFP | IC SYNC FIFO MEM 4096X18 64-TQFP | 对比 |
![]() | 72V281L10PFG | Integrated Device Technology (IDT) | 逻辑 - FIFO 存储器 | TQFP | 64K x 9 SuperSync FIFO, 3.3V | 对比 |
![]() | 72V2105L10PFG | Integrated Device Technology (IDT) | 逻辑 - FIFO 存储器 | TQFP | FIFO 256Kx18 3.3V SUPERSYNC FIFO | 对比 |






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