CYPT1049DV33-12FZMB备选型号: AS7C34096A-12JCN
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- 电压 - 供电 (最大值)
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- 长度
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
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- 界面
- 访问时间
- SRAM 4096 Kb, 3.60V, 12ns Async Fast SRAMs26 Weeks表面贴装36-CFlatPackYES32Volatile-55°C~125°C TATube2010e4活跃1 (Unlimited)36Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier3.3VDUAL1R-CDFP-F3695mA4Mb 512K x 81SRAMParallel812ns19b4 Mb3.6V3V23.37mm2.99mm无Non-RoHS Compliant含铅-----
- SRAM 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch SRAM10 Weeks表面贴装36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)-36Volatile0°C~70°C TATube2001-活跃3 (168 Hours)--3.3V---150mA4Mb 512K x 81SRAMParallel-12ns19b4 Mb3.6V3V--无ROHS3 Compliant无铅36-SOJ70°C0°CParallel12ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V424S12YG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | 对比 | |
![]() | AS7C34096A-12JCN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | SRAM 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
![]() | 71V424S12YGI8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | 对比 |





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