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D4G-T备选型号: D3G-T

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • Diodes Incorporated
    D4G-T
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 400V 1A T1
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    T1, Axial
    1
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    通孔
    EAR99
    150°C
    -65°C
    WIRE
    260
    not_compliant
    40
    2
    O-PALF-W2
    不合格
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 400V
    1V @ 1A
    ISOLATED
    1A
    -65°C~150°C
    30A
    1A
    1V
    400V
    1A
    2 μs
    5μA
    400V
    8pF @ 4V 1MHz
    30A
    2 μs
    400V
    2.6mm
    3.2mm
    2.6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    D3G-T
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 200V 1A T1
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    T1, Axial
    1
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2016
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -65°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 200V
    1V @ 1A
    -
    1A
    -65°C~150°C
    30A
    -
    1V
    200V
    1A
    2 μs
    5μA
    200V
    8pF @ 4V 1MHz
    30A
    2 μs
    200V
    2.6mm
    3.2mm
    2.6mm
    ROHS3 Compliant
    T-1
    200V
    1A
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D3G-T D3G-T Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 单 T1, Axial DIODE GEN PURP 200V 1A T1 对比