DBD250G备选型号: GBU6J

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 二极管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 输出电流-最大值
  • 平均整流电流(Io)
  • 相位的数量
  • 最大非代表Pk前进电流
  • 电压 - 峰值反向(最大值)
  • 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V SIP
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    通孔
    通孔
    4-Square
    SILICON
    4
    150°C TJ
    Bulk
    2010
    e4
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    Silver (Ag)
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    4
    S-PUFM-X4
    不合格
    BRIDGE, 4 ELEMENTS
    单相
    10μA @ 600V
    1.05V @ 12.5A
    25A
    6A
    1
    400A
    600V
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    通孔
    通孔
    4-SIP, GBU
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    单相
    5μA @ 600V
    1V @ 6A
    -
    6A
    -
    -
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    Tin
    4
    GBU
    5.4g
    150°C
    -55°C
    400pF
    600V
    6A
    GBU6J
    Single
    12W
    6A
    6A
    5μA
    175A
    1V
    6A
    5μA
    600V
    175A
    175A
    18.8mm
    22.3mm
    3.56mm
    无SVHC
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