ON Semiconductor DBD250G
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DBD250G
1807-DBD250G
二极管 - 桥式整流器
4-Square
大陆
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DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V SIP
1最小包装量--
DBD250G详情
ON Semiconductor DBD250G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
4-Square
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Silver (Ag)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
S-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 600V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.05V @ 12.5A
输出电流-最大值
25A
平均整流电流(Io)
6A
相位的数量
1
最大非代表Pk前进电流
400A
电压 - 峰值反向(最大值)
600V
击穿电压-最小值
600V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
DBD250G拓展信息







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