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首页 全部分类 DBF20G vs GBU6J

DBF20G备选型号: GBU6J

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 正向电压
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 平均整流电流（Io）
  • 平均整流电流
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    DBF20G
    ON Semiconductor
    DIODE BRIDGE 1PH 2A 600V 4SIP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 18 hours ago)
    通孔
    通孔
    4-SIP, DBF
    4
    SILICON
    1
    150°C TJ
    Bulk
    2009
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    HIGH RELIABILITY
    不合格
    Single
    单相
    10μA @ 600V
    1.05V @ 700mA
    1.5A
    1.05V
    1
    10μA
    600V
    60A
    60A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    GBU6J
    ON Semiconductor
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    通孔
    通孔
    4-SIP, GBU
    4
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    单相
    5μA @ 600V
    1V @ 6A
    6A
    1V
    -
    5μA
    600V
    175A
    175A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    Tin
    GBU
    5.4g
    150°C
    -55°C
    400pF
    600V
    6A
    GBU6J
    12W
    6A
    5μA
    175A
    6A
    6A
    600V
    18.8mm
    22.3mm
    3.56mm
    无SVHC
    无
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GBU6J GBU6J ON Semiconductor 二极管 - 桥式整流器 4-SIP, GBU BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU 对比