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首页 全部分类 DCX114EU-13R-F vs RN1906,LF(CT

DCX114EU-13R-F备选型号: RN1906,LF(CT

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  • 晶体管类型
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  • 频率转换
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  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 连续集电极电流
  • Diodes Incorporated
    DCX114EU-13R-F
    Diodes Incorporated
    TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    50V
    300mV
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    200mW
    260
    30
    Dual
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    100 @ 1mA 5V
    500nA ICBO
    300mV @ 500μA, 10mA
    250MHz
    5V
    10k Ω
    10k Ω
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1906,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    200mW
    -
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    5V
    4.7kOhms
    47kOhms
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    US6
    6.010099mg
    NPN
    200mW
    50V
    50V
    100mA
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