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首页 全部分类 DCX123JH-7 vs RN1965FE(TE85L,F)

DCX123JH-7备选型号: RN1965FE(TE85L,F)

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • Reach合规守则
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Diodes Incorporated
    DCX123JH-7
    Diodes Incorporated
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    19 Weeks
    SOT-563, SOT-666
    表面贴装
    表面贴装
    6
    3.005049mg
    80
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    150mW
    FLAT
    260
    40
    DCX123
    6
    NPN, PNP
    2
    Dual
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    250MHz
    2.2k Ω
    100mA
    47k Ω
    1.2mm
    1.6mm
    600μm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1965FE(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
    -
    SOT-563, SOT-666
    表面贴装
    表面贴装
    -
    -
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    -
    Dual
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    250MHz
    2.2k Ω
    100mA
    47k Ω
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    unknown
    50V
    5V
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RN1965FE(TE85L,F) RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SOT-563, SOT-666 Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V 对比
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