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首页 全部分类 DDB6U205N16LHOSA1 vs APTDR90X1601G

DDB6U205N16LHOSA1备选型号: APTDR90X1601G

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  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 二极管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 最大浪涌电流
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    DDB6U205N16LHOSA1
    Infineon Technologies
    DIODE MODULE GP 1600V
    Panel, Screw
    底座安装
    Module
    6
    1
    Bulk
    1999
    活跃
    不适用
    EAR99
    150°C
    -40°C
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    10mA @ 1600V
    205A
    1.47V @ 200A
    200A
    -40°C~150°C
    1600V
    1.47V
    10mA
    1.6kV
    1.6kA
    3 Independent
    1.6kA
    1.6kV
    30mm
    94mm
    42mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTDR90X1601G
    Microsemi Corporation
    BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 90A SP1
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    1
    Bulk
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    三相
    50μA @ 1600V
    -
    1.3V @ 90A
    90A
    -
    -
    1.3V
    50μA
    1.6kV
    850A
    -
    -
    1.6kV
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    符合RoHS标准
    36 Weeks
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    e1
    yes
    12
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    12
    ISOLATED
    850A
    90A
    3
    无
    无铅
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