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首页 全部分类 DDB6U205N16LHOSA1 vs MSDM75-16

DDB6U205N16LHOSA1备选型号: MSDM75-16

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  • 正向电流
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  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 二极管元件材料
  • 操作温度
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 最大浪涌电流
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    DDB6U205N16LHOSA1
    Infineon Technologies
    DIODE MODULE GP 1600V
    Panel, Screw
    底座安装
    Module
    6
    1
    Bulk
    1999
    活跃
    不适用
    EAR99
    150°C
    -40°C
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    10mA @ 1600V
    205A
    1.47V @ 200A
    200A
    -40°C~150°C
    1600V
    1.47V
    10mA
    1.6kV
    1.6kA
    3 Independent
    1.6kA
    1.6kV
    30mm
    94mm
    42mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    MSDM75-16
    Microsemi Corporation
    Diode Rectifier Bridge Single 1.6KV 75A 5-Pin Case M2-1
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    Module
    5
    1
    Bulk
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    三相
    500μA @ 1600V
    -
    1.6V @ 150A
    75A
    -
    -
    1.6V
    500μA
    1.6kV
    750A
    -
    -
    1.7kV
    22.5mm
    81mm
    41mm
    符合RoHS标准
    22 Weeks
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    5
    UPPER
    UNSPECIFIED
    5
    ISOLATED
    750A
    75A
    3
    无
    无铅
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