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DDB6U75N16W1RBOMA1备选型号: FS10R12VT3BOMA1
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 正向电流
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 最大功率耗散
- 最大集极截止电流
IGBT MOD 1200V 69A 335W16 WeeksTinPCB, Through Hole底座安装Module10SILICON1-40°C~150°C2006no活跃1 (Unlimited)27EAR99UPPERUNSPECIFIED未说明未说明27R-XUFM-X27不合格三相逆变器SingleISOLATED335W65A电源控制不含卤素N-CHANNELStandard1.2kV69A1mA1.6kV1200V137 ns2.15V @ 15V, 50A630 ns有2.8nF @ 25V12mm48mm33.8mm符合RoHS标准含铅--
IGBT MODULE 1200V 16A 64W16 WeeksTinPCB, Screw底座安装Module750SILICON6-40°C~125°C2002no不用于新设计1 (Unlimited)11EAR99UPPERUNSPECIFIED--11R-XUFM-X11-三相逆变器-ISOLATED64W--不含卤素N-CHANNELStandard1.2kV16A--1200V62 ns2.45V @ 15V, 10A540 ns无700pF @ 25V12mm32.4mm25.4mm符合RoHS标准含铅64W1mA- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | Module | ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins | 对比 |
 | FSBB30CH60C | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC | 对比 |
| FSBB15CH60C | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB15CH60C IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC | 对比 |
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