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首页 全部分类 DDC114EH-7 vs RN1910FE,LF(CT

DDC114EH-7备选型号: RN1910FE,LF(CT

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  • 转换频率
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Diodes Incorporated
    DDC114EH-7
    Diodes Incorporated
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    3.005049mg
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
    8541.21.00.75
    150mW
    FLAT
    260
    40
    DDC114
    6
    100mA
    50V
    NPN
    Dual
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    30 @ 5mA 5V
    500nA
    300mV @ 500μA, 10mA
    250MHz
    250MHz
    10k Ω
    100mA
    10k Ω
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1910FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    3.005049mg
    120
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    250MHz
    4.7kOhms
    100mA
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    ES6
    100mW
    50V
    50V
    5V
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