DDC142TH-7备选型号: RN1910FE,LF(CT

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  • 频率转换
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 功率 - 最大
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 0.47K
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    3.005049mg
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    内置偏置电阻
    8541.21.00.75
    150mW
    FLAT
    260
    40
    DDC142
    6
    NPN
    Dual
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    40V
    100mA
    100 @ 1mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    200MHz
    50V
    200MHz
    470 Ω
    100mA
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    3.005049mg
    -
    120
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    250MHz
    4.7kOhms
    100mA
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    ES6
    100mW
    100nA ICBO
    50V
    5V
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