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首页 全部分类 DDC144TH-7-F vs RN1910FE,LF(CT

DDC144TH-7-F备选型号: RN1910FE,LF(CT

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 极性
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • Diodes Incorporated
    DDC144TH-7-F
    Diodes Incorporated
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    内置偏置电阻
    150mW
    FLAT
    未说明
    未说明
    DDC144
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    150mW
    NPN
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    100 @ 1mA 5V
    500nA ICBO
    300mV @ 100μA, 1mA
    250MHz
    50V
    250MHz
    47k Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1910FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    120
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    250MHz
    4.7kOhms
    符合RoHS标准
    ES6
    3.005049mg
    NPN
    50V
    5V
    100mA
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