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首页 全部分类 DF1400R12IP4D vs FP75R12KE3BOSA1

DF1400R12IP4D备选型号: FP75R12KE3BOSA1

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  • VCEsat-最大值
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  • 无铅
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  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 最大功率耗散
  • 极性
  • 配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 正向电流
  • 输入
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon
    DF1400R12IP4D
    Infineon
    IGBT, HIG POW, 1200V, 1400A
    12 Weeks
    Module
    NO
    12
    1.2kV
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -40°C
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    12
    R-XUFM-X6
    不合格
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    1.75V
    340 ns
    1400A
    1200 ns
    20V
    2.1 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FP75R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 105A 355W
    12 Weeks
    Module
    -
    24
    1.2kV
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    35
    EAR99
    -
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    35
    R-XUFM-X35
    -
    -
    ISOLATED
    -
    -
    -
    1.2kV
    330 ns
    -
    610 ns
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    Screw
    底座安装
    SILICON
    2.15V
    -40°C~125°C TJ
    350W
    NPN
    Single
    350W
    355W
    75A
    Standard
    105A
    5mA
    1200V
    2.2V @ 15V, 75A
    NPT
    无
    5.3nF @ 25V
    17mm
    122mm
    62mm
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FP75R12KE3BOSA1 FP75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 105A 355W 对比