DGD1503S8-13备选型号: 93LC46B-I/SN
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 最大输出电流
- 输入类型
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 驱动器数量
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高压侧电压-最大值(自举)
- RoHS状态
- 无铅代码
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电压
- 界面
- 内存大小
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- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据保持时间
- 写入保护
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC GATE DRVR HALF BRIDGE SO-822 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e3活跃3 (168 Hours)EAR99Matte Tin (Sn)10V~20V未说明未说明600mAInverting, Non-Inverting70ns 35nsIndependent2N-Channel MOSFET290mA 600mA250VROHS3 Compliant----------------------------------
- IC, EEPROM SERIAL 1K, 93LC46, SOIC86 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATube-e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)2.5V~5.5V26040--------ROHS3 Compliantyes81000000 ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 200 YEARSDUAL13V1.27mm93LC46B82.5V5VSerial1Kb 64 x 162mA2MHz250 nsEEPROMSPI64X163-STATE6ms1 kb0.000001AMICROWIRE1000000 Write/Erase Cycles6ms200SOFTWARE1.5mm4.9mm3.9mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 24LC64-I/SN | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | EEPROM SERIAL 64K, 24LC64, SOIC8 | 对比 |
![]() | 93LC46B-I/SN | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC, EEPROM SERIAL 1K, 93LC46, SOIC8 | 对比 |




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