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首页 全部分类 DGD2108S8-13 vs L6398D

DGD2108S8-13备选型号: L6398D

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  • 输出电压
  • 电源
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  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 接口IC类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DGD2108S8-13
    Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    10V~20V
    未说明
    未说明
    600mA
    Non-Inverting
    100ns 35ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    600V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    L6398D
    STMicroelectronics
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    10V~20V
    -
    -
    430mA
    Inverting, Non-Inverting
    75ns 35ns
    Independent
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 430mA
    600V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8
    800mW
    DUAL
    鸥翼
    15V
    800kHz
    L6398
    2
    580V
    15V
    90μA
    800mW
    290mA
    200 ns
    200 ns
    75ns
    35 ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    1.65mm
    5mm
    4mm
    无
    无铅
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