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首页 全部分类 DGD2108S8-13 vs NCP5104DR2G

DGD2108S8-13备选型号: NCP5104DR2G

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  • 接通延迟时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DGD2108S8-13
    Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    10V~20V
    未说明
    未说明
    600mA
    Non-Inverting
    100ns 35ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    600V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NCP5104DR2G
    ON Semiconductor
    Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    10V~20V
    -
    -
    500mA
    Non-Inverting
    85ns 35ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    600V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    yes
    8
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    NCP5104
    8
    700mV
    15V
    800 ns
    800 ns
    无卤素
    160ns
    75 ns
    0.17 µs
    UNDER VOLTAGE
    水槽
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
    无铅
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