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首页 全部分类 DHG10I1200PM vs RHRP8120

DHG10I1200PM备选型号: RHRP8120

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  • 恢复时间
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  • 长度
  • 宽度
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  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 箱体转运
  • 反向电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 达到SVHC
  • IXYS
    DHG10I1200PM
    IXYS
    DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
    28 Weeks
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    通孔
    通孔
    3
    2.299997g
    SILICON
    150°C
    1
    -55°C
    2006
    Tube
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    快速软恢复
    FREEWHEELING, SNUBBER DIODE
    8541.10.00.80
    31W
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    15μA @ 1200V
    2.69V @ 10A
    10A
    1.5mA
    -55°C~150°C
    70A
    1200V
    3.56V
    1.2kV
    10A
    1
    75 ns
    15μA
    1.2kV
    70A
    70A
    75 ns
    9.19mm
    10.36mm
    4.9mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RHRP8120
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
    6 Weeks
    TO-220-2
    通孔
    通孔
    2
    2.16g
    SILICON
    175°C
    1
    -65°C
    2002
    Tube
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    超快软恢复
    自由旋转二极管
    8541.10.00.80
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 1200V
    3.2V @ 8A
    8A
    -
    -65°C~175°C
    100A
    1200V
    3.2V
    1.2kV
    8A
    1
    70 ns
    100μA
    1.2kV
    100A
    100A
    70 ns
    19.177mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    e3
    Tin (Sn)
    25pF
    1.2kV
    8A
    75W
    8A
    CATHODE
    1.2kV
    175°C
    无SVHC
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