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首页 全部分类 DHG60I1200HA vs ISL9R3060G2

DHG60I1200HA备选型号: ISL9R3060G2

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  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    DHG60I1200HA
    IXYS
    DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1
    Tube
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    PURE TIN
    150°C
    -55°C
    快速软恢复
    FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
    8541.10.00.80
    未说明
    未说明
    2
    R-PSFM-T2
    不合格
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    125μA @ 1200V
    2.32V @ 60A
    CATHODE
    -55°C~150°C
    430A
    1200V
    3.06V
    1.2kV
    60A
    1
    200 ns
    125μA
    500A
    1.2kV
    75 ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ISL9R3060G2
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    SILICON
    1
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    175°C
    -55°C
    快速软恢复
    FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
    8541.10.00.80
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    2.4V @ 30A
    CATHODE
    -55°C~175°C
    325A
    -
    2.4V
    600V
    30A
    1
    45 ns
    100μA
    325A
    600V
    45 ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    2
    6.33g
    Stealth™
    120pF
    600V
    30A
    200W
    30A
    30A
    600V
    325A
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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