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首页 全部分类 DI9400T vs RTL035N03TR

DI9400T备选型号: RTL035N03TR

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DI9400T
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
    表面贴装
    SMD/SMT
    Cut Tape (CT)
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -30V
    2.5W
    -3.4A
    30V
    3.4A
    350pF
    130 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
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  • ROHM Semiconductor
    RTL035N03TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    Tape & Reel (TR)
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    30V
    -
    3.5A
    -
    3.5A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    20 Weeks
    表面贴装
    6
    SILICON
    3.5A Ta
    150°C TJ
    e2
    yes
    6
    EAR99
    79MOhm
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    260
    10
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    56m Ω @ 3.5A, 4.5V
    1.5V @ 1mA
    350pF @ 10V
    6.4nC @ 4.5V
    25ns
    20 ns
    1.5V
    12V
    30V
    770μm
    2mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
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