DI9942T备选型号: IRF7324D1TRPBF

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  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
    表面贴装
    SOIC
    8
    Cut Tape (CT)
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.6W
    2.5A
    20V
    2.5A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Tape & Reel (TR)
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -2.9A
    20V
    2.2A
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    8-SO
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    FETKY™
    150°C
    -55°C
    -20V
    2W
    P-Channel
    270mOhm @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    260pF @ 15V
    7.8nC @ 4.5V
    ±12V
    12V
    -20V
    260pF
    Schottky Diode (Isolated)
    270mOhm
    270 mΩ
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