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首页 全部分类 DKI03082 vs SPD30N03S2L07GBTMA1

DKI03082备选型号: SPD30N03S2L07GBTMA1

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Sanken
    DKI03082
    Sanken
    MOSFET N-CH 30V 29A TO-252
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    29A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    8.4m Ω @ 25A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1030pF @ 15V
    16.3nC @ 10V
    30V
    ±20V
    29A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD30N03S2L07GBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    6.7m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 85μA
    2530pF @ 25V
    68nC @ 10V
    30V
    ±20V
    30A
    符合RoHS标准
    -
    3
    SILICON
    OptiMOS™
    2
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    17ns
    47 ns
    20V
    0.0098Ohm
    120A
    250 mJ
    无
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