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首页 全部分类 DKI04103 vs IPD30N03S4L14ATMA1

DKI04103备选型号: IPD30N03S4L14ATMA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Sanken
    DKI04103
    Sanken
    MOSFET N-CH 40V 29A TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    29A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    未说明
    unknown
    未说明
    N-Channel
    11.5m Ω @ 18.8A, 10V
    2.5V @ 250μA
    990pF @ 25V
    14.5nC @ 10V
    40V
    ±20V
    29A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD30N03S4L14ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    13.6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 10μA
    980pF @ 25V
    14nC @ 10V
    -
    ±16V
    30A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    12 Weeks
    3
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    无卤素
    2ns
    16V
    30V
    120A
    16 mJ
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