DKI04103备选型号: IRFR3504PBF

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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
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  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Sanken
    MOSFET N-CH 40V 29A TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    29A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    未说明
    unknown
    未说明
    N-Channel
    11.5m Ω @ 18.8A, 10V
    2.5V @ 250μA
    990pF @ 25V
    14.5nC @ 10V
    40V
    ±20V
    29A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2002
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    9.2mOhm @ 30A, 10V
    4V @ 250μA
    2150pF @ 25V
    71nC @ 10V
    40V
    ±20V
    87A
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    D-Pak
    HEXFET®
    9.2mOhm
    175°C
    -55°C
    40V
    87A
    Single
    140W
    11 ns
    53ns
    22 ns
    4V
    20V
    40V
    40V
    2.15nF
    7.8mOhm
    9.2 mΩ
    4 V
    无SVHC
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