DLE30C备选型号: 1N5401G-T

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 应用
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 无铅代码
  • 最小工作温度
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电流
  • 正向电压
  • 电容@Vr, F
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    SILICON
    1
    Bulk
    1998
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    超快恢复
    8541.10.00.80
    WIRE
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 400V
    980mV @ 3A
    ISOLATED
    3A
    150°C Max
    60A
    1.5A
    200V
    3A
    1
    35 ns
    10μA
    200V
    60A
    200V
    35 ns
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    GENERAL PURPOSE
    8541.10.00.80
    WIRE
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 100V
    1.1V @ 3A
    ISOLATED
    3A
    -65°C~150°C
    125A
    -
    100V
    3A
    1
    2 μs
    5μA
    100V
    125A
    -
    2 μs
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    1.09999g
    no
    -65°C
    40pF
    100V
    260
    3A
    40
    1N5401
    2
    3A
    1.1V
    40pF @ 4V 1MHz
    100V
    5.3mm
    9.5mm
    5.3mm
    Exempt
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