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DMC1028UFDB-7备选型号: DMG9926UDM-7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 无铅代码
- 附加功能
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN15 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON6A 3.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.36WDUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN and P-ChannelSWITCHING25m Ω @ 5.2A, 4.5V1V @ 250μA787pF @ 6V18.5nC @ 8V12V 20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL3.4A6A0.025Ohm12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-----------------
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-2615 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)980mW-鸥翼26040--增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING28m Ω @ 8.2A, 4.5V900mV @ 250μA856pF @ 10V8.3nC @ 4.5V20V-4.2A---METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant6yesHIGH RELIABILITYDMG9926UDM6980mW8.4 ns8.2ns8.9 ns8V20V1.3mm3.1mm1.7mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN | 对比 |
 | DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | N-Channel 20 V 2.5 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3 | 对比 |
| NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 | 对比 |
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