ON Semiconductor NTR3C21NZT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

470mW Ta

Turn Off Delay Time

420 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1540pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.8nC @ 4.5V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

4.67 μs

连续放电电流(ID)

3.6A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.024Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅