DMC2041UFDB-7备选型号: NTLUS3A39PZCTAG
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- Vgs(最大值)
- MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN16 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON4.7A 3.2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.4WDUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN and P-ChannelSWITCHING40m Ω @ 4.2A, 4.5V1.4V @ 250μA713pF @ 10V15nC @ 8V20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL3.2A4.7A0.04Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant---
- MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6-表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN-3.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3Obsolete1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)------Single增强型MOSFET-P-Channel-39m Ω @ 4A, 4.5V1V @ 250μA920pF @ 15V10.4nC @ 4.5V20V-3.4A5.2A----符合RoHS标准6µCool™±8V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTLUS3A39PZCTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6 | 对比 |



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