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首页 全部分类 DMC25D0UVT-7 vs FDC658P

DMC25D0UVT-7备选型号: FDC658P

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  • 终端形式
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMC25D0UVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    400mA 3.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.2W
    未说明
    未说明
    N and P-Channel
    4 Ω @ 400mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    26.2pF @ 10V
    0.7nC @ 8V
    25V 30V
    3.2A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC658P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 V
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    50m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    750pF @ 15V
    12nC @ 5V
    30V
    -4A
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6
    36mg
    SILICON
    PowerTrench®
    yes
    6
    50mOhm
    逻辑电平兼容
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -4A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    12 ns
    SWITCHING
    14ns
    ±20V
    16 ns
    -1.7V
    20V
    4A
    -30V
    150°C
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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