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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.201126
10
¥1.133138
100
¥1.068998
500
¥1.008489
1000
¥0.951404
Diodes Incorporated DMP3105LVT-7
- 收藏
- 对比
DMP3105LVT-7
671-DMP3105LVT-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
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MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP3105LVT-7详情
Diodes Incorporated DMP3105LVT-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.15W Ta
Turn Off Delay Time
269 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
75mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.75W
接通延迟时间
9.7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
75m Ω @ 4.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
839pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.8nC @ 10V
上升时间
17.7ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
64 ns
连续放电电流(ID)
3.9A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP3105LVT-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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