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首页 全部分类 DMC3016LSD-13 vs FDS8978

DMC3016LSD-13备选型号: FDS8978

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    DMC3016LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    8.2A 6.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.2W
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    AEC-Q101
    2
    增强型MOSFET
    9.7 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 12A, 10V
    2.3V @ 250μA
    1415pF @ 15V
    25.1nC @ 10V
    17.1ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    40.4 ns
    6.2A
    20V
    0.016Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8978
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    1.6W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    18m Ω @ 7.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1270pF @ 15V
    26nC @ 10V
    37ns
    -
    37 ns
    7.5A
    20V
    -
    30V
    -
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    Tin
    PowerTrench®
    18MOhm
    Dual
    1.6W
    30V
    2.5V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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