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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.871364
10
¥1.765438
100
¥1.665507
500
¥1.571234
1000
¥1.482295
Diodes Incorporated DMC3016LSD-13
- 收藏
- 对比
DMC3016LSD-13
671-DMC3016LSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC3016LSD-13详情
Diodes Incorporated DMC3016LSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A 6.2A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
60.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
9.7 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1415pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25.1nC @ 10V
上升时间
17.1ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
40.4 ns
连续放电电流(ID)
6.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.016Ohm
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMC3016LSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
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